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      歡迎蒞臨廣電計量!
      服務熱線 400-602-0999
      我們的服務 失效分析 半導體分立器件AEC-Q101認證試驗
      半導體分立器件AEC-Q101認證試驗
      AEC-Q101對對各類半導體分立器件的車用可靠性要求進行了梳理。AEC-Q101試驗不僅是對元器件可靠性的國際通用報告,更是打開車載供應鏈的敲門磚。 廣電計量在SiC第三代半導體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰經驗,為您提供專業可靠的AEC-Q101認證服務,同時,我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高壓蒸煮(Autoclave)試驗服務,設備能力完全覆蓋以SiC為第三代半導體器件的可靠性試驗能力。
      服務介紹
      隨著技術的進步,各類半導體功率器件開始由實驗室階段走向商業應用,尤其以SiC為代表的第三代半導體器件國產化的腳步加快。但車用分立器件市場均被國外巨頭所把控,國產器件很難分一杯羹,主要的原因之一即是可靠性得不到認可。
       

      測試周期:

      2-3個月,提供全面的認證計劃、測試等服務
       

      產品范圍:

      二、三極管、晶體管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、閘流管等半導體分立器件
       

      測試項目:

      序號 測試項目 縮寫 樣品數/批 批數 測試方法
      1 Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test TEST 所有應力試驗前后均進行測試 用戶規范或供應商的標準規范
      2 Pre-conditioning PC SMD產品在7、8、9和10試驗前預處理 JESD22-A113
      3 External Visual EV 每項試驗前后均進行測試 JESD22-B101
      4 Parametric Verification PV 25 3 Note A 用戶規范
      5 High Temperature
      Reverse Bias
      HTRB 77 3 Note B MIL-STD-750-1
      M1038 Method A
      5a AC blocking
      voltage
      ACBV 77 3 Note B MIL-STD-750-1
      M1040 Test Condition A
      5b High Temperature
      Forward Bias
      HTFB 77 3 Note B JESD22
      A-108
      5c Steady State
      Operational
      SSOP 77 3 Note B MIL-STD-750-1
      M1038 Condition B(Zeners)
      6 High Temperature
      Gate Bias
      HTGB 77 3 Note B JESD22
      A-108
      7 Temperature
      Cycling
      TC 77 3 Note B JESD22
      A-104
      Appendix 6
      7a Temperature
      Cycling Hot Test
      TCHT 77 3 Note B JESD22
      A-104
      Appendix 6
      7a
      alt
      TC Delamination
      Test
      TCDT 77 3 Note B JESD22
      A-104
      Appendix 6
      J-STD-035
      7b Wire Bond Integrity WBI 5 3 Note B MIL-STD-750
      Method 2037
      8 Unbiased Highly
      Accelerated Stress
      Test
      UHAST 77 3 Note B JESD22
      A-118
      8
      alt
      Autoclave AC 77 3 Note B JESD22
      A-102
      9 Highly Accelerated
      Stress Test
      HAST 77 3 Note B JESD22
      A-110
      9
      alt
      High Humidity
      High Temp.
      Reverse Bias
      H3TRB 77 3 Note B JESD22
      A-101
      10 Intermittent
      Operational Life
      IOL 77 3 Note B MIL-STD-750
      Method 1037
      10
      alt
      Power and
      Temperature Cycle
      PTC 77 3 Note B JESD22
      A-105
      11 ESD
      Characterization
      ESD 30 HBM 1 AEC-Q101-001
      30 CDM 1 AEC-Q101-005
      12 Destructive
      Physical Analysis
      DPA 2 1 NoteB AEC-Q101-004
      Section 4
      13 Physical
      Dimension
      PD 30 1 JESD22
      B-100
      14 Terminal Strength TS 30 1 MIL-STD-750
      Method 2036
      15 Resistance to
      Solvents
      RTS 30 1 JESD22
      B-107
      16 Constant Acceleration CA 30 1 MIL-STD-750
      Method 2006
      17 Vibration Variable
      Frequency
      VVF 項目16至19是密封包裝的順序測試。 (請參閱圖例頁面上的注釋H.) JEDEC
      JESD22-B103
      18 Mechanical
      Shock
      MS     JEDEC
      JESD22-B104
      19 Hermeticity HER     JESD22-A109
      20 Resistance to
      Solder Heat
      RSH 30 1 JESD22
      A-111 (SMD)
      B-106 (PTH)
      21 Solderability SD 10 1 Note B J-STD-002
      JESD22B102
      22 Thermal
      Resistance
      TR 10 1 JESD24-3,24-4,26-6視情況而定
      23 Wire Bond
      Strength
      WBS 最少5個器件的10條焊線 1 MIL-STD-750
      Method 2037
      24 Bond Shear BS 最少5個器件的10條焊線 1 AEC-Q101-003
      25 Die Shear DS 5 1 MIL-STD-750
      Method 2017
      26 Unclamped
      Inductive
      Switching
      UIS 5 1 AEC-Q101-004
      Section 2
      27 Dielectric Integrity DI 5 1 AEC-Q101-004
      Section 3
      28 Short Circuit
      Reliability
      Characterization
      SCR 10 3 Note B AEC-Q101-006
      29 Lead Free LF     AEC-Q005

       

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